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高性能MOS栅控器件驱动器ATE33153及其应用
作者: 来源: 时间: 2016/5/30
简介 
    ATE33153(替代MC33153)是专为IGBT驱动器设计的,用于包括交流感应电机控制、无刷直流电机控制和不间断电源(UPS)的大功率应用。虽然为驱动分立式和模块式IGBT而设计,该器件也可以为驱动功率MOSFET和双极型晶体管提供低成本的解决方案。器件的保护功能包括去饱和或过流检测选择和欠压检测。该器件提供双列直插和表面贴装封装。
特点 
● 大电流输出端口:1A拉电流/2A灌电流
● 对常规型和感应型IGBT都有保护电路 
● 可预设故障消隐时间 
● 过流和短路保护 
● 为IGBT优化的欠压锁定 
● 负栅驱动能力 
● 是驱动大功率MOSFET和双极型晶体管的低成本解决方案

应用信息 

    上图是基本的IGBT驱动器应用。当用光隔离器驱动时,需要一个输入上拉电阻。此电阻值的 设置应使输出晶体管偏置在需要的电流上。在靠近IC的地方应置一个去耦合电容以减小开关噪声。  自举二极管可用于浮动电源。如果不需要保护特性,那么故障消隐/去饱和和电流检测输入应当接到开尔文地(管脚2)。当全部使用是单电源时,开尔文地和VEE管脚应当连在一起。建议使用不同阻值的栅极电阻,以优化驱动器的导通和关断。  右图是双电源应用。开尔文地应当接至IGBT的发射极。如果不使用保护特性,故障消隐/去饱和端和电流检测输入端均应接地。输入光隔器要参考连接到VEE。

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